Material – Keramik

♦Aluminiumoxid (Al2O3)

Die von der ZhongHui Intelligent Manufacturing Group (ZHHIMG) hergestellten Präzisionskeramikteile können aus hochreinen Keramikrohstoffen, 92–97 % Aluminiumoxid, 99,5 % Aluminiumoxid, >99,9 % Aluminiumoxid und kaltisostatischem CIP-Pressen hergestellt werden.Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, Maßgenauigkeit von ± 0,001 mm, Glätte bis zu Ra0,1, Einsatztemperatur bis zu 1600 Grad.Je nach Kundenwunsch können verschiedene Keramikfarben hergestellt werden, z. B. Schwarz, Weiß, Beige, Dunkelrot usw. Die von unserem Unternehmen hergestellten Präzisionskeramikteile sind beständig gegen hohe Temperaturen, Korrosion, Verschleiß und Isolierung und können dies auch tun lange Zeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen, Vakuum und korrosiven Gasen verwendet.

Weit verbreitet in einer Vielzahl von Halbleiterproduktionsanlagen: Rahmen (Keramikhalterung), Substrat (Basis), Arm/Brücke (Manipulator), mechanische Komponenten und Keramik-Luftlager.

AL2O3

Produktname Hochreines 99-Aluminiumoxid-Keramik-Vierkantrohr/Rohr/Stab
Index Einheit 85 % Al2O3 95 % Al2O3 99 % Al2O3 99,5 % Al2O3
Dichte g/cm3 3.3 3,65 3.8 3.9
Wasseraufnahme % <0,1 <0,1 0 0
Sintertemperatur 1620 1650 1800 1800
Härte Mohs 7 9 9 9
Biegefestigkeit (20℃)) Mpa 200 300 340 360
Druckfestigkeit Kgf/cm2 10000 25000 30000 30000
Langzeitarbeitstemperatur 1350 1400 1600 1650
Max.Arbeitstemperatur 1450 1600 1800 1800
Volumenwiderstand 20℃ Ω.cm3 >1013 >1013 >1013 >1013
100℃ 1012-1013 1012-1013 1012-1013 1012-1013
300℃ >109 >1010 >1012 >1012

Anwendung von hochreiner Aluminiumoxidkeramik:
1. Wird auf Halbleitergeräte angewendet: Keramik-Vakuumspannfutter, Trennscheibe, Reinigungsscheibe, Keramikspannfutter.
2. Wafer-Transferteile: Wafer-Handhabungsspannfutter, Wafer-Schneidscheiben, Wafer-Reinigungsscheiben, Saugnäpfe für die optische Wafer-Inspektion.
3. LED-/LCD-Flachbildschirmindustrie: Keramikdüse, Keramikschleifscheibe, LIFT PIN, PIN-Schiene.
4. Optische Kommunikation, Solarindustrie: Keramikrohre, Keramikstäbe, Leiterplatten-Siebdruck-Keramikschaber.
5. Hitzebeständige und elektrisch isolierende Teile: Keramiklager.
Derzeit kann Aluminiumoxidkeramik in hochreine und gewöhnliche Keramik unterteilt werden.Die hochreine Aluminiumoxid-Keramikserie bezieht sich auf das Keramikmaterial, das mehr als 99,9 % Al₂O₃ enthält.Aufgrund seiner Sintertemperatur von bis zu 1650 - 1990 °C und seiner Transmissionswellenlänge von 1 ~ 6 μm wird es üblicherweise zu geschmolzenem Glas anstelle von Platintiegeln verarbeitet: Dieses kann aufgrund seiner Lichtdurchlässigkeit und Korrosionsbeständigkeit als Natriumrohr verwendet werden Alkalimetall.In der Elektronikindustrie kann es als Hochfrequenz-Isoliermaterial für IC-Substrate verwendet werden.Je nach Gehalt an Aluminiumoxid kann die gängige Aluminiumoxid-Keramikserie in 99 Keramiken, 95 Keramiken, 90 Keramiken und 85 Keramiken unterteilt werden.Manchmal werden Keramiken mit 80 % oder 75 % Aluminiumoxid auch als gewöhnliche Aluminiumoxid-Keramikserien klassifiziert.Darunter wird 99 Aluminiumoxid-Keramikmaterial zur Herstellung von Hochtemperaturtiegeln, feuerfesten Ofenrohren und speziellen verschleißfesten Materialien wie Keramiklagern, Keramikdichtungen und Ventilplatten verwendet.95 Aluminiumkeramik wird hauptsächlich als korrosionsbeständiges, verschleißfestes Teil verwendet.85 Keramiken werden häufig in einigen Eigenschaften gemischt, wodurch die elektrische Leistung und die mechanische Festigkeit verbessert werden.Es können Molybdän-, Niob-, Tantal- und andere Metalldichtungen verwendet werden, und einige werden als elektrische Vakuumgeräte verwendet.

 

Qualitätsartikel (repräsentativer Wert) Produktname AES-12 AES-11 AES-11C AES-11F AES-22S AES-23 AL-31-03
Chemische Zusammensetzung, natriumarmes, leicht sinterbares Produkt H₂O % 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1
Lol % 0,1 0,2 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1
Fe₂0₃ % 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01
SiO₂ % 0,03 0,03 0,03 0,03 0,02 0,04 0,04
Na₂O % 0,04 0,04 0,04 0,04 0,02 0,04 0,03
MgO* % - 0,11 0,05 0,05 - - -
Al₂0₃ % 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9
Mittlerer Partikeldurchmesser (MT-3300, Laseranalyseverfahren) μm 0,44 0,43 0,39 0,47 1.1 2.2 3
α Kristallgröße μm 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 ~ 1,0 0,3 ~ 4 0,3 ~ 4
Umformdichte** g/cm³ 2.22 2.22 2.2 2.17 2,35 2,57 2,56
Sinterdichte** g/cm³ 3,88 3,93 3,94 3,93 3,88 3,77 3.22
Schrumpfungsrate der Sinterlinie** % 17 17 18 18 15 12 7

* MgO wird bei der Berechnung der Reinheit von Al₂O₃ nicht berücksichtigt.
* Kein Zunderpulver 29,4 MPa (300 kg/cm²), Sintertemperatur beträgt 1600 °C.
AES-11 / 11C / 11F: Fügen Sie 0,05 ~ 0,1 % MgO hinzu, die Sinterfähigkeit ist ausgezeichnet, sodass es auf Aluminiumoxidkeramik mit einer Reinheit von mehr als 99 % anwendbar ist.
AES-22S: Es zeichnet sich durch eine hohe Formdichte und eine geringe Schrumpfungsrate der Sinterlinie aus und eignet sich für Gleitformguss und andere großformatige Produkte mit der erforderlichen Maßgenauigkeit.
AES-23 / AES-31-03: Es hat eine höhere Formdichte, Thixotropie und eine niedrigere Viskosität als AES-22S.Ersteres wird für Keramik verwendet, während letzteres als Wasserreduzierer für feuerfeste Materialien verwendet wird und immer beliebter wird.

♦Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC).

Allgemeine Charakteristiken Reinheit der Hauptkomponenten (Gew.-%) 97
Farbe Schwarz
Dichte (g/cm³) 3.1
Wasseraufnahme (%) 0
Mechanische Eigenschaften Biegefestigkeit (MPa) 400
Young-Modul (GPa) 400
Vickershärte (GPa) 20
Thermische Eigenschaften Maximale Betriebstemperatur (°C) 1600
Wärmeausdehnungskoeffizient RT~500°C 3.9
(1/°C x 10-6) RT~800°C 4.3
Wärmeleitfähigkeit (W/m x K) 130 110
Thermoschockbeständigkeit ΔT (°C) 300
Elektrische Eigenschaften Volumenwiderstand 25°C 3 x 106
300°C -
500°C -
800°C -
Dielektrizitätskonstante 10 GHz -
Dielektrischer Verlust (x 10-4) -
Q-Faktor (x 104) -
Dielektrische Durchschlagsspannung (KV/mm) -

20200507170353_55726

♦Siliziumnitrid-Keramik

Material Einheit Si₃N₄
Sintermethode - Gasdruckgesintert
Dichte g/cm³ 3.22
Farbe - Dunkelgrau
Wasseraufnahmerate % 0
Junger Modul Gpa 290
Vickers-Härte Gpa 18 - 20
Druckfestigkeit Mpa 2200
Biegefestigkeit Mpa 650
Wärmeleitfähigkeit W/mK 25
Wärmeschockbeständigkeit Δ (°C) 450 - 650
Maximale Betriebstemperatur °C 1200
Volumenwiderstand Ω·cm > 10 ^ 14
Dielektrizitätskonstante - 8.2
Spannungsfestigkeit kV/mm 16